Нанодисперсный диоксид кремния — один из ключевых компонентов для современной микроэлектроники. Он входит в состав специальных суспензий для химико-механической полировки, которая позволяет уменьшать шероховатость и выравнивать поверхность полупроводниковых пластин на различных этапах изготовления интегральных микросхем. Без этого стабильную работу электронных устройств обеспечить было бы невозможно.
Если говорить простыми словами, вещество представляет собой порошок из мелких частиц (в несколько десятков нанометров), и от их чистоты и геометрических параметров зависит то, насколько хорошо они будут воздействовать на поверхность микросхем. Ученые Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского (ННГУ) представили новый способ получения частиц с нужными параметрами.
«Особенность разработки заключается в объединении процессов синтеза и очистки, что позволяет получать высокочистый диоксид кремния с сохранением характеристик наночастиц, важных для их последующего применения. Это особенно значимо, поскольку даже незначительные загрязнения или образование крупных агрегатов частиц могут приводить к появлению дефектов на поверхности полупроводниковых пластин», — рассказала «Научной России» Ксения Отвагина, кандидат химических наук, научный сотрудник научно-исследовательской лаборатории инженерной химии НИИ химии ННГУ.
Ученая добавила, что особое внимание уделялось сохранению размера и однородности частиц, что уже сейчас критически важно для микроэлектроники. В…
