Миниатюризация органических светоизлучающих диод имеет решающее значение для отображения ультравысокого разрешения следующего поколения и интегрированных фотоников 1,2,3,4,5,6,7,8. Однако традиционные методы вакуумного испарения и печати черных чернил несовместимы с литографическими процессами масштабирования, которые лежат в основе кремниевой электроники 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, что препятствует подлинной монолитной интеграции с дополнительными металлическими-оксидными полупроводниками. Здесь мы представляем электролюминесцентных фоторезистов, синтезированных посредством переноса атомов радикальной полимеризации, которая может быть непосредственно спровоцирована литографией ультрафиолетового и электронного луча. Эти мульти-армейские полимеры имеют архитектуру каркас - скорлупа, предназначенную для установки термоактивных замедлившихся флюоресцирующих излучателей в защитной оболочке хоста и их отделения от реакционных фотоперекрестков на поверхности. Изоляция конкретных участков обеспечивает, что перекрестные реакции происходят на периферии, оставляя эмиссивные ядра нетронутыми и сохраняя высокую электролюминезность. Мы демонстрируем устойчивую ортогональность в последовательной многослойной фотолитографии с помощью электролюминесцентных фоторезистов, что позволяет поддифракции флуоресцирующих нанопатонов с критическим размером до 110 нм. Мы проверяем эффективность устройства с помощью многоцветных, ультрафиолетово-излучающих органических световых диодов, которые…
Электролюминесцентные фоторезисты, расширяющие литографическое масштабирование на ОИД
Природа, опубликованная в Интернете: 16 сентября 2026 года; дои: 10.1038/s41586-026-11042-0 Электролюминесцентные фоторезисты, синтезированные с помощью атомной переносной радикальной полимеризации могут быть непосредственно использованы для ультрафиолетового и электроннолучевого литографического производства и использоваться для изготовления монолитных, многоцветных микропикселовых сетей с органическим светоизлучающим светом.