Китай разработал GAA-транзисторы для производства передовых чипов с помощью DUV
Китайцы выжимают максимум из литографии в глубоком ультрафиолете
Китайская академия наук (CAS) представила архитектуру транзисторов Gate-All-Around (GAA) с применением DUV-литографии (литография в глубоком ультрафиолете). Разработка может помочь китайской полупроводниковой отрасли выпустить новое поколение чипов без доступа к современным EUV-сканерам, поставки которых ограничены экспортным контролем.
GAA-транзисторы считаются следующим этапом развития после FinFET. В такой конструкции затвор окружает проводящий канал со всех сторон, что позволяет точнее управлять током, снижать утечки и повышать энергоэффективность при уменьшении размеров элементов чипа.
