Ferra.ru
Учёные из Института физики полупроводников имени Ржанова СО РАН предложили технологию создания чипов флеш-памяти, устойчивых к космической радиации. В её основе — специальные плёнки с дефектами-«ловуш...
iXBT.com
Ученые Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН предложили технологию энергонезависимой флеш-памяти с повышенной радиационной стойкостью и длительным сроком хранения данных. В персп...
Ученые Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН выясняют, какой механизм лежит в основе появления первичной асимметрии... РИА Новости, 08.10.2026
Качество нового асфальтобетонного покрытия автомобильной дороги на улице Байкальской от остановки «ВСИЭП» до Ржанова проверяют в Иркутске, сообщает пресс-служба городской администрации.
Учёные Института автоматики и процессов управления ДВО РАН, Института химии ДВО РАН и Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН предложили недорогую и нетоксичную технологию получения...
Аспирант Института полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) представил исследование сверхтонких пленок...
9 туристов из Севастополя пропали на Эльбрусе. Среди них есть ребёнок. По данным Mash, группа во главе Василия Ржанова вышла на маршрут два дня назад. Последняя связь с ними была сегодня в четыре утра...