Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) в прошлом году вложился в капитал стартапа Nagare Labs, который пытается разработать новый тип памяти, сочетающий лучшие характеристики DRAM, SRAM и флеш-памяти. Память типа Z2RAM обещает быть плотной как DRAM, быстрой как SRAM и масштабируемой, как флеш-память.
Источник изображения: Nagare Labs
По сути, как пояснил бывший глава Intel изданию The Register, на рынке технологий памяти существенных инноваций не наблюдалось на протяжении трёх последних десятилетий. Основные разработки сосредоточены вокруг SRAM, DRAM и флеш-памяти. Разрабатываемая Nagare Labs память Z2RAM должна быть почти такой же быстрой, как SRAM, близкой по плотности к DRAM, но при этом в производстве оставаться проще HBM или LPDDR.
С другой стороны, как признаёт Гелсингер, в случае с HBM сочетание плотности и быстродействия является лучшим на рынке, хотя данный тип памяти и имеет множество ограничений типа плотности, энергопотребления и пропускной способности на периферийных участках чипа. Z2RAM как собирается обеспечить более высокую плотность, быстродействие и меньшее энергопотребление.
