В ходе рабочего визита в Новосибирск президент РАН академик Геннадий Красников посетил Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Он познакомился с основными направлениями работы НИИ, включая флагманское — метод молекулярно-лучевой эпитаксии — оптимальный для создания новых полупроводниковых материалов с контролируемой точностью. Ученые института рассказали о прикладных и фундаментальных разработках, связанных с созданием приборных структур и электронной компонентной базы для СВЧ-электроники и фотоники, спинтроники, приборостроением, а также сенсорных технологий для оценки состояния здоровья человека.
Встречу открыл директор Института физики полупроводников академик РАН Александр Латышев, представив ключевые проекты института. Затем специалисты ИФП СО РАН продемонстрировали разные направления исследований, сделав акцент на недавних достижениях.
О разработке электронной компонентной базы для СВЧ-электроники, фотоники и радиофотоники рассказал заведующий лабораторией ИФП СО РАН к.ф.-м.н. Дмитрий Гуляев.
К.ф.-м.н. Сергей Мутилин представил динамический пространственный фазовый модулятор света на жидких кристаллах с мегапиксельным разрешением. О разработках структур «кремний на изоляторе», в том числе с использованием диоксида гафния, рассказал д.ф.-м.н., заведующий лабораторией ИФП СО РАН Владимир Попов.
